近半年來,全球存儲芯片價格持續(xù)上漲。三星電子向主要客戶發(fā)出第四季度提價通知,計劃將部分DRAM價格上調(diào)15%至30%,NAND閃存價格上調(diào)5%至10%。在這一輪由供需關(guān)系和技術(shù)迭代驅(qū)動的行業(yè)上升周期中,掌握核心技術(shù)正成為企業(yè)贏得市場競爭的關(guān)鍵籌碼。

2025年9月,國際電子器件大會(IEDM)論文錄用名單公布。國內(nèi)DRAM制造商長鑫科技憑借3D鐵電存儲器(FeRAM)與后端工藝集成的新型多層堆疊DRAM架構(gòu)兩項創(chuàng)新成果成功入選,其論文入選數(shù)量位居國內(nèi)企業(yè)之首,展現(xiàn)了在下一代存儲技術(shù)領(lǐng)域的扎實布局。

IEDM作為半導體器件領(lǐng)域的頂級會議,其論文錄用情況反映了各研究機構(gòu)在前沿技術(shù)領(lǐng)域的布局與實力。從技術(shù)趨勢看,本屆IEDM重點關(guān)注了下一代晶體管結(jié)構(gòu)與新型存儲技術(shù)。

在這一背景下,長鑫科技的技術(shù)突破顯得更具參考價值,其展示的3D FeRAM方案實現(xiàn)了單片集成的堆疊式鐵電電容結(jié)構(gòu),利用鐵電材料的非易失特性,在單元層面實現(xiàn)了數(shù)據(jù)斷電保存功能,同時通過三維堆疊工藝提升了存儲密度。鐵電存儲器因其讀寫速度接近DRAM、功耗接近NAND的特性,被視為潛在的新型存儲解決方案。

在DRAM技術(shù)方向上,長鑫科技提出了可在后端工藝線(BEOL)集成的多層堆疊DRAM架構(gòu)。該技術(shù)突破了傳統(tǒng)DRAM僅能在晶圓前道工藝制造的局限,通過在后道工序中直接構(gòu)建存儲單元,實現(xiàn)了存儲陣列與邏輯電路的三維集成。這一路徑若成熟,有望為存算一體架構(gòu)和異構(gòu)集成提供新的硬件基礎(chǔ)。

這些前沿技術(shù)的突破,離不開其背后的研發(fā)體系支撐。據(jù)公開信息,長鑫不僅研發(fā)技術(shù)人員占比較高,更呈現(xiàn)出顯著的年輕化特征,這種人才結(jié)構(gòu)有利于快速響應(yīng)技術(shù)變革、攻克前沿難題。

從產(chǎn)業(yè)背景看,2025年政府工作報告中明確強調(diào)了產(chǎn)學研協(xié)同與關(guān)鍵技術(shù)人才培養(yǎng)。在此導向下,長鑫科技于今年4月成立北京地區(qū)科協(xié),系統(tǒng)性地構(gòu)建與高校、科研院所的技術(shù)合作平臺。

技術(shù)層面的進展與產(chǎn)學研的深化,共同構(gòu)成了公司創(chuàng)新發(fā)展的基本面,也為其資本市場進程提供了支撐。值得關(guān)注的是,長鑫科技已于2025年7月啟動A股上市輔導,并在三個月內(nèi)完成驗收流程。有分析認為,其在IEDM上展示的技術(shù)成果,不僅是研發(fā)能力的體現(xiàn),也有助于強化其在資本市場中的技術(shù)定位。

通過產(chǎn)學研協(xié)同機制的建立,長鑫科技在存儲器技術(shù)研發(fā)方面形成了特定的技術(shù)路徑,其發(fā)展模式為觀察國內(nèi)半導體企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新提供了實際案例。

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